Transistor MOSFET IRF520

Transistor IRF520

La troisième génération de MOSFET de puissance à canal N offre au développeur la meilleure combinaison de commutation rapide, de conception de dispositif robuste, de faible résistance à l'activation et de rentabilité. Le boîtier TO-220AB est généralement préféré pour toutes les applications commerciales et industrielles avec des pertes de puissance jusqu'à environ 60 W. La faible résistance thermique et le faible coût du boîtier du TO-220AB contribuent à sa large acceptation dans l'industrie.

Spécifications techniques:

•     100 volts
•     9,2 ampères
•     environ 60 watts
•     Boîtier TO-220